Industry pain points
您是否正被这些问题困扰
痛点1:晶圆表面铜离子污染,导致栅氧击穿、良率损失。
痛点2:传统RCA清洗蚀刻表面,损伤本体,无法满足3纳米及以下制程要求。
痛点3:先进封装界面热阻高,芯片结温居高不下,性能受限。
痛点4:清洗工序多、能耗高、废液处理成本巨大。
原子级洁净确定性解决方案
核心陈述:
基于原子级选择性杂质清除系统,为您的晶圆和器件提供零损伤、零残留、常温一步完成的清洗方案。
更净
核心数字:铜离子清除率大于98%,粗糙度变化小于0.015纳米。
怎么一句话说清楚:原子级精准选择性清除金属离子污染,不伤及晶圆表面形貌。
客户可感知价值:晶圆良率提升2%到5%。先进制程下每片晶圆价值数千美元,良率即利润。
更精
核心数字:DUV逼近EUV良率,线边缘粗糙度降低30%以上。
怎么一句话说清楚:缺陷密度降低,让193纳米光刻获得接近13.5纳米光刻的图案精度。
客户可感知价值:晶圆厂无需急于升级EUV设备,DUV产线延寿3到5年,资本支出节省数亿美元。
更凉
核心数字:界面热阻降低40%到60%,结温降低8到15摄氏度。
怎么一句话说清楚:原子级平整界面使导热介质与芯片表面充分接触,消除微观气隙。
客户可感知价值:同功耗下芯片频率提升5%到8%。这是不花钱的性能升级。
更稳
核心数字:MTBF提升2到3倍,早期失效率降低80%。
怎么一句话说清楚:缺陷和金属污染清除后,电迁移和TDDB失效机制被显著抑制。
客户可感知价值:数据中心服务器年故障率从3%降至低于1%,宕机损失以百万美元计。
更纯
核心数字:表面态密度降低1到2个数量级,1/f噪声降低50%。
怎么一句话说清楚:悬挂键和缺陷态被钝化,沟道载流子散射降至最低。
客户可感知价值:模拟/射频芯片信噪比提升3dB,5G基站信号覆盖范围扩大20%。
更密
核心数字:支持3纳米及以下制程良率保障。
怎么一句话说清楚:亚纳米级表面控制满足EUV光刻对基板平整度的极致要求。
客户可感知价值:3纳米芯片量产良率从70%提升至85%以上,单片成本降低15%到20%。
更快
核心数字:开关速度提升8%到12%,互连延迟降低15%。
怎么一句话说清楚:低k介质界面优化降低RC延迟,载流子迁移率提升。
客户可感知价值:高性能计算芯片每时钟周期指令数提升8%到12%,数据中心算力密度提升。
更省
核心数字:清洗成本降低50%到70%,良率损失降低5%到15%。
怎么一句话说清楚:一步式替代多步传统清洗流程,化学品用量减少,处理时间缩短。
客户可感知价值:月产5万片的12英寸晶圆厂年节省清洗成本3000万到5000万元。
更绿
核心数字:零溶剂零残留,VOC排放降低100%。
怎么一句话说清楚:全物理过程替代化学湿法清洗,彻底消除有机溶剂使用和危废排放。
客户可感知价值:满足欧盟芯片法案环保合规要求,碳足迹降低60%以上。
更广
核心数字:兼容硅、锗、III-V族、碳化硅、氮化镓全材料体系。
怎么一句话说清楚:精准选择性使其可针对不同半导体材料的化学特性进行适配。
客户可感知价值:同一技术平台覆盖逻辑芯片、功率器件、射频器件、光电器件四大品类,客户一站式采购。
具体以双方联合验证为准。